Samsung Akan Mulai Produksi Memori Internal Super Besar

052165400_1456564292-samsung_chip

Samsung dikabarkan mulai sejak mengembangkan universal flash storage (UFS) 2.0 yg akan sediakan kapasitas 256GB. Nantinya, tehnologi UFS ini bakal difungsikan juga sebagai memori internal di telpon pintar high-end akan datang.

Mengutip info dari page Tech Times, Sabtu (27/2/2016), Samsung menjelaskan bahwa memori UFS 2.0 ini akan membaca & posting dua kali lebih langsung dari SSD berbasis SATA yg kerap ditemui terhadap pc desktop.

Kecepatan itu dimungkinkan karena UFS ini telah memanfaatkan system dua-jalur utk berkirim file. Kecepatan clock-up dari UFS sukses mencapai 850MB per detik, sementara utk kecepatan menulisnya, mencapai 260MB per detik.

Tidak cuma itu, chip ini sanggup menangani sampai 45 ribu & 40 ribu input dalam satu buah operasi per detik. Jumlah itu telah termasuk juga buat proses pembacaan & penulisan. Juga Sebagai perbandingan, UFS generasi pada awal mulanya cuma sanggup mencapai angka di kisaran 19 ribu & 14 ribu.

Oleh karena itu, dengan cara teoritis piranti yg dapat di lengkapi chip ini sanggup dioperasikan bersama amat sangat mulus. Bahkan, kala dipaksa utk bekerja bersama beban berat & multitasking.

Kami bertekad utk mendorong keunggulan Samsung dalam deretan penyimpan file bersama bergerak agresif buat meningkatkan kinerja, ucap Joo Sun Chui, VP dari Memory Sales & Marketing Samsung. Adapun sekian banyak product daya simpan yg ditawarkan Samsung yakni OEM NVMe SSD, SSD eksternal, & UFS.

Daya Simpan sendiri ialah salah satu isu yg pass mutlak di pasar telpon pintar. Oleh dikarenakan itu, technologi yg Samsung tawarkan ini akan menjadi solusi untuk masalah tersebut.

Lebih-lebih, tehnologi UFS yg sedang dikembangkan ini bakal mempunyai kebolehan yg tambah baik dari MicroSD, maka iidak tertutup mungkin pemakaian memori eksternal ke depannya bakal menyusut. Tapi Sayang, Samsung belum mengungkap kapan memori ini bakal sejak mulai difungsikan kepada piranti besutannya.

 

Bandar Bola Terbaik

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *